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          電話:400-0532-778
          砷化鎵設備

          砷化鎵多晶合成爐

          砷化鎵多晶合成爐
          產品詳情:

          VGF 、HB 、HGF 、VB產品特點:

          ★用于GaAs等化合物晶體的生長         

          ★按結構形式:垂直生長,水平生長

          ★按生長方式:梯度生長及移動生長        

          ★晶體生長尺寸::2-6寸

          ★設備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB     

          ★提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。

          主要技術指標:

          ★結構型式:單管水平式,加熱爐體可左右移動    

          ★適合2~4″晶體生長工藝(可定制)。

          ★爐體有效加熱長度:1600mm            

          ★最高工作溫度:1300℃

          ★恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃

          ★升溫速率(室溫~1260℃):斜變升溫速率可控在0~15℃/min

          ★降溫(1300℃~900℃):0~5℃/min         

          ★供電電源:三相五線~380V±10% ,50Hz


          熱門標簽:砷化鎵多晶合成爐
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