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          電話:400-0532-778
          擴散爐
            • 磁性材料真空燒結爐

              現在聯系磁性材料真空燒結爐主要技術指標:釤鈷退火每爐15-150公斤,燒結每爐35公斤工作溫度及均勻度:1000℃/1250℃±1.5℃真空度:5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(燒結)滿足工藝要求的均勻升溫、冷卻控制方式:觸摸屏、工控機型號:VTO-250(燒結)/VTO-400(退火)

            • LPCVD擴散爐

              現在聯系LPCVD擴散爐一. 設備概述:LPCVD低壓化學氣相淀積是半導體集成電路制造的重要工序之一,本設備主要用于:4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生長。它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片

            • 程控擴散爐

              現在聯系程控擴散爐產品說明:擴散爐主要滿足半導體電力電子器件行業、大功率集成電路等行業,對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統、控制系統、超凈化操作系統等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。主要技術指標:★可處理硅片尺寸:2—8英寸★外型形式:臥式1—4

            • 高溫擴散爐

              現在聯系高溫擴散爐一.設備概述: 高溫擴散爐采用電腦工控機軟件控制方式,該設備主要在高溫1300℃狀態下用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、燒結等工藝。設備主要適合于4-6英寸工藝硅片的處理二.設備主要特點和優勢 1★具有強大的軟件功能,友好的人機界面,用戶可以

            • 全自動擴散爐

              現在聯系全自動擴散爐功能特點: 擴散爐應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、及大規模集成電路制造等領域對晶片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝,可用于2-8英寸工藝尺寸?!锶形膚indows操作界面,可編輯參數,操作方便。 ★可保存多條工藝曲線,每條曲線可設置多步?!锕に嚽€的

            • 氧化擴散爐

              現在聯系氧化擴散爐一.設備概述: 本設備主要用于集成電路、電力電子等行業的電子專用設備,將3-6英寸硅片在通氧氣的狀態下高溫熱處理,在硅片表面形成氧化膜的過程,氧化工藝是集成電路工藝中應用最廣泛的基礎工藝之一,氧化膜的用途廣泛,可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層(損傷緩沖層)、表面鈍化、絕緣柵材料

            • 立式真空擴散爐

              現在聯系立式真空擴散爐本設備主要應用于集成電路、分立器件、電力電子器件熔化焊接來進行的生產、擴散、燒結、以及熱處理退火等工藝操作。主要技術指標: 方式:立式、環壁加熱,鐘罩升降式,絲杠上下傳送料,自動升降送料,真空室內配有工件支架可處理硅片尺寸:2-8英寸恒溫區長度:400-800mm工作溫度:400

            • 臥式真空擴散爐

              現在聯系臥式真空擴散爐一.設備概述: 真空擴散爐水平對置采用電腦工控機軟件控制方式,大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的3-6英寸工藝硅片在真空狀態下的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝。 二.設備參數類型: 方式:左/右手操作方式,大工作臺面(側面采用高效凈化)可配工藝管數

            • 立式擴散爐

              現在聯系立式擴散爐本設備主要應用于集成電路、分立器件、電力電子硅片擴散、燒結、以及熱處理退火等工藝操作。 立式、環壁加熱,鐘罩升降式,絲杠自動上下升降送料。功能特點: ★全英文windows操作界面,可編輯參數,操作方便。 ★可保存多條工藝曲線,每條曲線可設置多步。 ★工藝曲線的自動運行控制功能。

            • 氫氧合成擴散爐

              現在聯系氫氧合成擴散爐一.設備概述: 本設備主要用于集成電路、電力電子等行業的關鍵電子專用設備,氫氧合成是將3-6英寸硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理,在硅片表面形成氧化膜的過程,氧化工藝是集成電路工藝中應用最廣泛的基礎工藝之一,氧化膜的用途廣泛,可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層(損傷緩

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